(LADI) Ein Verfahren zur Herstellung ultrakleiner Strukturen auf Halbleiterwafern. Die Struktur gibt eine Quarzschablone vor, die als Stempel auf den Wafer aufgesetzt wird. Ein gepulster UV-Laser (Excimerlaser) lässt das Silizium innerhalb 250 ns schmelzen. Nach Wegnahme des Stempels verbleibt eine Mikrofurche, die etwa 10 nm misst, also deutlich weniger als die Wellenlänge der UV-Strahlung.