Henry Harrison Chase, geb. 1842. US-amerikanischer Halbleiterpionier. Entdeckte im Jahr 1906, dass eine Punktkontakt-Anordung mit Siliziumkarbid (SiC) eine Halbleiterwirkung zeigte. Die theoretische Erklärung für den Grenzschichteneffekt lieferten William Shockley und seine Mitarbeiter zwar erst Jahrzehnte später, die Diode ließ sich aber schon frühzeitig (ab 1910) als Kristalldetektor in Funkempfängern einsetzen.