(CBRAM) Eine Technologie für nicht flüchtige Speicherzellen mit wahlfreiem Zugriff, in der die Speicherzellen mit einem Festkörper-Elektrolyten gefüllt sind. Der elektrische Widerstand des Elektrolyten verringert sich während eines Stromflusses durch die elektrische Abscheidung von Metallbrücken (aus einer Silberanode) dauerhaft und erheblich (mehrere Dekaden), aber auch reversibel (durch Umkehr der Stromrichtung). Die Programmierung erfolgt mit Stromimpulsen. Im Grunde genommen ist das Prinzip nicht neu: Jeder elektrolytischer Kondensator stellt potenziell eine Speicherzelle dar. Entscheidend für den technologischen Durchbruch der C.-Technologie war, dass sie sich seit etwa 2004 in sehr kleinen Strukturgrößen realisieren und somit inmitten von CMOS-Strukturen integrieren lässt. Theoretisch lassen sich bei Strukturgrößen von 90 nm bereits 6,2 GBit auf einem Quadratzentimeter unterbringen. Bei 60 nm ergibt sich bereits eine gute Verdoppelung auf 13,9 GBit. Der Schichtauf- oder -abbau vollzieht sich mit einer Geschwndigkeit von etwa 1 m/s, was kurze Programmierzeiten ermöglicht. Einer der Pioniere der C.-Technologie ist die US-Firma Axon Technologies, die ihre Speicherzelle als »metallization cell memory« bezeichnet. Die Zelle lässt sich bereits mit Stromimpulsen im mA-Bereich beschreiben oder löschen. Die Programmierspannung liegt bei weniger als 0,3 V.