(band edge deflection) Anomalie in der Bandkante in einer Halbleitergrenzschicht. Eine ausgeprägte B. entsteht infolge extrem hoher p- und n-Dotierung, wie sie in Esaki-Dioden (Tunneldioden) praktiziert wird. Die Folge ist die Entstehung eines entarteten Leitungsbandes und eines entarteten Valenzbandes. Die B. führt dazu, dass beim Anlegen einer Spannung ein Tunnelstrom von Elektronen im entarteten Leitungsband in das entartete Valenzband flie?en kann. S.a. Tunneldiode.